Продукція > ONSEMI > NSVDTC123JET1G
NSVDTC123JET1G

NSVDTC123JET1G onsemi

dtc123j-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.70 грн
6000+2.32 грн
9000+2.18 грн
15000+1.89 грн
21000+1.80 грн
30000+1.72 грн
75000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVDTC123JET1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSVDTC123JET1G за ціною від 2.34 грн до 14.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVDTC123JET1G NSVDTC123JET1G Виробник : onsemi dtc123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 101950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.88 грн
40+7.94 грн
100+4.94 грн
500+3.37 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1G Виробник : onsemi DTC123J_D-1387473.pdf Digital Transistors SMALL SIGNAL BIAS RE
на замовлення 10307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+14.35 грн
41+8.59 грн
100+4.68 грн
500+3.40 грн
1000+3.02 грн
3000+2.41 грн
6000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1G NSVDTC123JET1G Виробник : ON Semiconductor dtc123j-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW Automotive 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVDTC123JET1G Виробник : ONSEMI dtc123j-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Application: automotive industry
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.