Продукція > ONSEMI > NSVEMX1DXV6T1G
NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi

emx1dxv6t1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+7.80 грн
8000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 4000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVEMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSVEMX1DXV6T1G за ціною від 7.05 грн до 50.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVEMX1DXV6T1G NSVEMX1DXV6T1G onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.37 грн
14+22.85 грн
100+14.54 грн
500+10.26 грн
1000+9.17 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1G NSVEMX1DXV6T1G onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
на замовлення 323 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+50.67 грн
11+30.56 грн
100+16.93 грн
500+10.99 грн
1000+9.43 грн
2000+8.46 грн
4000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1G emx1dxv6t1-d.pdf
NSVEMX1DXV6T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.37 грн
14+22.85 грн
100+14.54 грн
500+10.26 грн
1000+9.17 грн
2000+8.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1G emx1dxv6t1-d.pdf
NSVEMX1DXV6T1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
на замовлення 323 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.67 грн
11+30.56 грн
100+16.93 грн
500+10.99 грн
1000+9.43 грн
2000+8.46 грн
4000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.