Продукція > ONSEMI > NSVEMX1DXV6T1G
NSVEMX1DXV6T1G

NSVEMX1DXV6T1G onsemi


emx1dxv6t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.88 грн
8000+7.81 грн
12000+7.42 грн
20000+6.57 грн
28000+6.33 грн
40000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVEMX1DXV6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-563.

Інші пропозиції NSVEMX1DXV6T1G за ціною від 7.47 грн до 41.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVEMX1DXV6T1G NSVEMX1DXV6T1G Виробник : onsemi emx1dxv6t1-d.pdf Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 63945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.63 грн
13+24.60 грн
100+15.62 грн
500+11.03 грн
1000+9.85 грн
2000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVEMX1DXV6T1G NSVEMX1DXV6T1G Виробник : onsemi EMX1DXV6T1_D-1803838.pdf Bipolar Transistors - BJT SS DUAL NPN GEN PURP TSTR
на замовлення 6645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.99 грн
14+25.43 грн
100+14.11 грн
500+10.56 грн
1000+9.51 грн
2000+8.53 грн
4000+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.