NSVEMX1DXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 9.01 грн |
| 8000+ | 7.91 грн |
| 12000+ | 7.53 грн |
| 20000+ | 6.66 грн |
| 28000+ | 6.42 грн |
| 40000+ | 6.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVEMX1DXV6T1G onsemi
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSVEMX1DXV6T1G за ціною від 7.27 грн до 42.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVEMX1DXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Dual NPN Bipolar Transistor |
на замовлення 6645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVEMX1DXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2NPN 50V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 63945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVEMX1DXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 0.1A; 0.357W; SOT563 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.357W Case: SOT563 Current gain: 120...560 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |