Продукція > ONSEMI > NSVF3007SG3T1G
NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G onsemi

NSVF3007SG3_D-1813735.pdf
Виробник: onsemi
RF Bipolar Transistors RF-TR 12V 30MA FT=8G NPN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 701-710 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+66.71 грн
10+58.57 грн
100+40.25 грн
250+40.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 701-710 дні (днів)
Мінімальна партія: 5 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVF3007SG3T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 30mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SC-70FL, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 8GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSVF3007SG3T1G за ціною від 24.89 грн до 24.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVF3007SG3T1G NSVF3007SG3T1G ONSEMI 2339386.pdf Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1G NSVF3007SG3T1G ONSEMI 2339386.pdf Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1G onsemi NSVF3007SG3-D.PDF Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
882+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 882 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1G 2339386.pdf
NSVF3007SG3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1G 2339386.pdf
NSVF3007SG3T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF3007SG3T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 350 mW, 30 mA, SC-70FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 30mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SC-70FL
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 110682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF3007SG3T1G NSVF3007SG3-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 12dB
Power - Max: 350mW
Current - Collector (Ic) (Max): 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-70FL/MCPH3
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 110911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
882+24.89 грн
Мінімальне замовлення: 882 шт
В кошику  од. на суму  грн.