NSVF4015SG4T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2852 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 14 грн |
| 500+ | 10.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVF4015SG4T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 450mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SC-82FL, Bauform - HF-Transistor: SC-82FL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 100mA, Übergangsfrequenz: 10GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NSVF4015SG4T1G за ціною від 10.71 грн до 45.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSVF4015SG4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF4015SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 450mW euEccn: NLR Verlustleistung: 450mW Bauform - Transistor: SC-82FL Bauform - HF-Transistor: SC-82FL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 10GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVF4015SG4T1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4 Part Status: Active |
на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVF4015SG4T1G | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVF4015SG4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NSVF4015SG4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive 4-Pin MCPH T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NSVF4015SG4T1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 17dB Power - Max: 450mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 10GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4 Part Status: Active |
товар відсутній |