Продукція > ONSEMI > NSVF4017SG4T1G
NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G ONSEMI


2620049.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1735 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.77 грн
500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVF4017SG4T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 450mW, Bauform - Transistor: SC-82FL, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 10GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції NSVF4017SG4T1G за ціною від 16.00 грн до 48.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVF4017SG4T1G NSVF4017SG4T1G Виробник : onsemi NSVF4017SG4_D-1813938.pdf RF Bipolar Transistors BIP NPN 100MA 12V FT=10G
на замовлення 23995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.89 грн
10+38.91 грн
100+27.01 грн
250+26.27 грн
500+21.87 грн
1000+17.47 грн
3000+16.00 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1G NSVF4017SG4T1G Виробник : ONSEMI 2620049.pdf Description: ONSEMI - NSVF4017SG4T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 450 mW, 100 mA, SC-82FL
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 450mW
Bauform - Transistor: SC-82FL
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 10GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+48.99 грн
20+41.82 грн
100+25.77 грн
500+16.97 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1G NSVF4017SG4T1G Виробник : ON Semiconductor nsvf4017sg4-d.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.1A 450mW Automotive AEC-Q101 4-Pin MCPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1G Виробник : ONSEMI nsvf4017sg4-d.pdf NSVF4017SG4T1G-ONS NPN SMD transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1G NSVF4017SG4T1G Виробник : onsemi nsvf4017sg4-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVF4017SG4T1G NSVF4017SG4T1G Виробник : onsemi nsvf4017sg4-d.pdf Description: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 17dB
Power - Max: 450mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SC-82FL/MCPH4
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.