NSVF6003SB6T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: CPH
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 7GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.54 грн |
| 500+ | 21.26 грн |
| 1000+ | 19.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVF6003SB6T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: CPH, Dauerkollektorstrom: 150mA, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 7GHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSVF6003SB6T1G за ціною від 15.44 грн до 87.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVF6003SB6T1G | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors BIP NPN 0.15A 12V FT=7G |
на замовлення 2806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVF6003SB6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVF6003SB6T1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 7 GHz, 800 mW, 150 mA, CPH tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: CPH Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 7GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVF6003SB6T1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVF6003SB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 20950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NSVF6003SB6T1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6-CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 9dB Power - Max: 800mW Current - Collector (Ic) (Max): 150mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Frequency - Transition: 7GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |