Продукція > ONSEMI > NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G onsemi


imd10amt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 285mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-74R
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+34.02 грн
15+19.95 грн
100+12.63 грн
500+8.89 грн
1000+7.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVIMD10AMT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SC-74R, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-74, SOT-457, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 285mW, Current - Collector (Ic) (Max): 500mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V, Resistor - Base (R1): 13kOhms, 130Ohms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-74R, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVIMD10AMT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVIMD10AMT1G onsemi imd10amt1g-d.pdf Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVIMD10AMT1G imd10amt1g-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SURF MT BIASED RES XSTR
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.