Продукція > ONSEMI > NSVJ6904DSB6T1G
NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI

2711422.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+57.73 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, Durchbruchspannung Vbr: -25V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: CPH, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V.

Інші пропозиції NSVJ6904DSB6T1G за ціною від 21.71 грн до 103.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G onsemi nsvj6904dsb6-d.pdf Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.29 грн
10+52.07 грн
100+36.99 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.03 грн
11+74.99 грн
100+57.73 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G onsemi nsvj6904dsb6-d.pdf JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.61 грн
10+64.60 грн
100+37.21 грн
500+29.11 грн
1000+26.50 грн
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G nsvj6904dsb6-d.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: onsemi
Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.29 грн
10+52.07 грн
100+36.99 грн
500+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G 2711422.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+97.03 грн
11+74.99 грн
100+57.73 грн
500+41.00 грн
1000+35.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G nsvj6904dsb6-d.pdf
NSVJ6904DSB6T1G
Виробник: onsemi
JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 7515 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+103.61 грн
10+64.60 грн
100+37.21 грн
500+29.11 грн
1000+26.50 грн
3000+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.