Продукція > ONSEMI > NSVJ6904DSB6T1G
NSVJ6904DSB6T1G

NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI

2711422.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.02 грн
500+35.63 грн
1000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, Durchbruchspannung Vbr: -25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CPH, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVJ6904DSB6T1G за ціною від 23.47 грн до 87.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : onsemi nsvj6904dsb6-d.pdf Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.41 грн
10+54.12 грн
100+38.45 грн
500+28.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : ONSEMI 2711422.pdf Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+85.04 грн
15+57.69 грн
100+41.02 грн
500+35.63 грн
1000+30.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : onsemi NSVJ6904DSB6-D.PDF JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.91 грн
10+58.79 грн
100+36.26 грн
500+29.33 грн
1000+27.27 грн
3000+23.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvj6904dsb6-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvj6904dsb6-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 50mA Automotive 6-Pin CPH T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : ON Semiconductor nsvj6904dsb6-d.pdf Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G NSVJ6904DSB6T1G Виробник : onsemi nsvj6904dsb6-d.pdf Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: 2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V
Current Drain (Id) - Max: 50 mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Power - Max: 700 mW
Resistance - RDS(On): 25 Ohms
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVJ6904DSB6T1G Виробник : ONSEMI nsvj6904dsb6-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA
Type of transistor: N-JFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 20mA
Power dissipation: 0.7W
Case: CPH6
Gate-source voltage: -25V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common source
Gate current: 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.