NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA
Durchbruchspannung Vbr: -25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: CPH
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6 Pins
Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Transistortyp: JFET
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.85 грн |
| 500+ | 33.75 грн |
| 1000+ | 29.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVJ6904DSB6T1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA, Durchbruchspannung Vbr: -25V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: CPH, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 6 Pins, Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V, Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Transistortyp: JFET, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSVJ6904DSB6T1G за ціною від 21.37 грн до 101.99 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 700 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVJ6904DSB6T1G - JFET-Transistor, -25 V, 40 mA, -1.8 V, CPH, 6 Pins, 150 °C tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drainstrom bei Gate-Nullspannung, max.: 40mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Drainstrom bei Gate-Nullspannung Idss, min.: 20mA euEccn: NLR Bauform - Transistor: CPH Anzahl der Pins: 6 Pins Gate/Source-Durchbruchspannung, max.: -25V Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Transistortyp: JFET Betriebstemperatur, max.: 150°C Gate-Source-Sperrspannung, max.: -1.8V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3469 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
JFETs JFET -25V, 20 TO 40MA DUA |
на замовлення 7515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans JFET N-CH 25V 50mA 6-Pin CPH T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : onsemi |
Description: JFET 2N-CH 25V 50MA 6CPH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: 2 N-Channel (Dual) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6pF @ 5V Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 25 V Current Drain (Id) - Max: 50 mA Supplier Device Package: 6-CPH Grade: Automotive Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Power - Max: 700 mW Resistance - RDS(On): 25 Ohms Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 600 mV @ 100 µA Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20 mA @ 5 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NSVJ6904DSB6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-JFET x2; unipolar; 25V; 20mA; 0.7W; CPH6; Igt: 10mA Polarisation: unipolar Semiconductor structure: common source Case: CPH6 Type of transistor: N-JFET x2 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Gate-source voltage: -25V Gate current: 10mA Drain current: 20mA Power dissipation: 0.7W Drain-source voltage: 25V |
товару немає в наявності |