NSVMMBT2907AM3T5G ON Semiconductor
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 3.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBT2907AM3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 640mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NSVMMBT2907AM3T5G за ціною від 4.19 грн до 25.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 640mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR |
на замовлення 2709 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 640 mW Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| NSVMMBT2907AM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |



