Продукція > ONSEMI > NSVMMBT2907AM3T5G
NSVMMBT2907AM3T5G

NSVMMBT2907AM3T5G onsemi

mmbt2907am3-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 640 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+25.37 грн
21+14.81 грн
100+9.27 грн
500+6.45 грн
1000+5.72 грн
2000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT2907AM3T5G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 640mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції NSVMMBT2907AM3T5G за ціною від 5.22 грн до 33.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMMBT2907AM3T5G NSVMMBT2907AM3T5G onsemi mmbt2907am3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.22 грн
15+23.10 грн
100+12.76 грн
500+8.04 грн
1000+6.98 грн
2500+6.13 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5G NSVMMBT2907AM3T5G ONSEMI mmbt2907am3-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5G NSVMMBT2907AM3T5G ONSEMI mmbt2907am3-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5G mmbt2907am3-d.pdf
NSVMMBT2907AM3T5G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
10+33.22 грн
15+23.10 грн
100+12.76 грн
500+8.04 грн
1000+6.98 грн
2500+6.13 грн
5000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5G mmbt2907am3-d.pdf
NSVMMBT2907AM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT2907AM3T5G mmbt2907am3-d.pdf
NSVMMBT2907AM3T5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 640 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 640mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.