NSVMMBT5401LT3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.95 грн |
| 38+ | 7.98 грн |
| 100+ | 4.95 грн |
| 500+ | 3.38 грн |
| 1000+ | 2.97 грн |
| 2000+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBT5401LT3G onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції NSVMMBT5401LT3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMBT5401LT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V |
на замовлення 10002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMMBT5401LT3G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR PNP 150V
на замовлення 10002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)