Продукція > ONSEMI > NSVMMBT5401WT1G
NSVMMBT5401WT1G

NSVMMBT5401WT1G onsemi


mmbt5401w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT5401WT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVMMBT5401WT1G за ціною від 2.57 грн до 19.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G Виробник : ONSEMI 2729151.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+12.60 грн
110+7.49 грн
189+4.36 грн
500+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRA
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
19+18.75 грн
32+10.89 грн
100+5.58 грн
1000+4.92 грн
3000+3.30 грн
9000+2.79 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G Виробник : onsemi mmbt5401w-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 400 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.85 грн
27+11.62 грн
100+7.27 грн
500+5.03 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5401WT1G NSVMMBT5401WT1G Виробник : ON Semiconductor 6665065639207387mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW Automotive 3-Pin SC-70 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.