Продукція > ONSEMI > NSVMMBT5550LT1G

NSVMMBT5550LT1G onsemi


mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.85 грн
21+14.51 грн
100+9.05 грн
500+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT5550LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMMBT5550LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVMMBT5550LT1G NSVMMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 HV XSTR NPN 160V
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.