Продукція > ONSEMI > NSVMMBT5550LT1G
NSVMMBT5550LT1G

NSVMMBT5550LT1G onsemi

mmbt5550lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.52 грн
29+11.14 грн
100+6.80 грн
500+5.47 грн
1000+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT5550LT1G onsemi

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMMBT5550LT1G за ціною від 3.89 грн до 17.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBT5550LT1G NSVMMBT5550LT1G Виробник : onsemi MMBT5550LT1_D-1811686.pdf Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor
на замовлення 29773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.64 грн
30+12.03 грн
100+7.94 грн
500+6.03 грн
1000+5.42 грн
3000+3.97 грн
9000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1G NSVMMBT5550LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT5550LT1G NSVMMBT5550LT1G Виробник : onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.