NSVMMBT5550LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 15.39 грн |
| 29+ | 10.38 грн |
| 100+ | 6.34 грн |
| 500+ | 5.10 грн |
| 1000+ | 4.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBT5550LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVMMBT5550LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMBT5550LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor |
на замовлення 29773 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMMBT5550LT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor
Bipolar Transistors - BJT High Voltage NPN Bipolar Transistor
на замовлення 29773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)