Продукція > ONSEMI > NSVMMBT6429LT1G
NSVMMBT6429LT1G

NSVMMBT6429LT1G onsemi


mmbt6428lt1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.98 грн
6000+4.31 грн
9000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT6429LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVMMBT6429LT1G за ціною від 3.02 грн до 24.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+5.06 грн
1000+4.17 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : onsemi MMBT6428LT1_D-2316300.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
на замовлення 9014 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.94 грн
29+12.01 грн
100+5.37 грн
1000+4.86 грн
3000+3.68 грн
9000+3.16 грн
24000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 14552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.87 грн
22+14.02 грн
100+8.77 грн
500+6.08 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.43 грн
55+15.10 грн
100+9.57 грн
500+6.51 грн
1000+4.99 грн
5000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.