Продукція > ONSEMI > NSVMMBT6429LT1G
NSVMMBT6429LT1G

NSVMMBT6429LT1G onsemi

mmbt6428lt1-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBT6429LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 700MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVMMBT6429LT1G за ціною від 3.21 грн до 24.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.99 грн
1000+4.11 грн
5000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.18 грн
25+12.46 грн
100+7.81 грн
500+5.42 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Trnsistr
на замовлення 7654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.72 грн
25+13.23 грн
100+7.25 грн
500+5.37 грн
1000+4.67 грн
3000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G NSVMMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMBT6429LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 500hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 700MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
34+24.08 грн
55+14.89 грн
100+9.44 грн
500+6.42 грн
1000+4.92 грн
5000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBT6429LT1G Виробник : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 500...1250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.