NSVMMBTA05LT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 25.40 грн |
| 20+ | 14.90 грн |
| 100+ | 9.35 грн |
| 500+ | 6.52 грн |
| 1000+ | 5.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBTA05LT1G onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 225 mW.
Інші пропозиції NSVMMBTA05LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMBTA05LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN |
на замовлення 8207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMMBTA05LT1G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR NPN
на замовлення 8207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)