NSVMMBTH10LT1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 147000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.93 грн |
| 6000+ | 7.17 грн |
| 15000+ | 6.71 грн |
| 30000+ | 5.77 грн |
| 75000+ | 5.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMBTH10LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Dauer-Kollektorstrom: 999A, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Anzahl der Pins: 3Pins, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: No, Übergangsfrequenz: 650MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NSVMMBTH10LT1G за ціною від 6.39 грн до 33.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 999A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 153143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : onsemi |
RF Bipolar Transistors SS VHF XSTR SPCL TR |
на замовлення 5578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 999A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pins Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVMMBTH10LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMBTH10LT1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 386000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSVMMBTH10LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |