Продукція > ONSEMI > NSVMMBTH81LT3G
NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G onsemi

mmbth81-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 9177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.09 грн
15+ 18.77 грн
100+ 11.3 грн
500+ 9.82 грн
1000+ 6.67 грн
2000+ 6.14 грн
5000+ 5.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBTH81LT3G onsemi

Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSVMMBTH81LT3G за ціною від 7.97 грн до 7.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMMBTH81LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVMMBTH81LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf PNP RF Transistor
товар відсутній
NSVMMBTH81LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товар відсутній
NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Виробник : onsemi mmbth81-d.pdf Description: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
товар відсутній
NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Виробник : onsemi MMBTH81_D-3150179.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
товар відсутній