Продукція > ONSEMI > NSVMMBTH81LT3G
NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G onsemi

mmbth81-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.08 грн
24+12.70 грн
100+7.92 грн
500+5.48 грн
1000+4.85 грн
2000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMBTH81LT3G onsemi

Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSVMMBTH81LT3G за ціною від 9.56 грн до 9.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMBTH81LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
на замовлення 190000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3G Виробник : ON Semiconductor mmbth81-d.pdf 50 mA, 20 V PNP RF Bipolar Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Виробник : onsemi mmbth81-d.pdf Description: RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMBTH81LT3G NSVMMBTH81LT3G Виробник : onsemi mmbth81-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.