Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2112LT1G
NSVMMUN2112LT1G

NSVMMUN2112LT1G onsemi

dta124e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 50880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.51 грн
6000+ 3.13 грн
9000+ 2.6 грн
30000+ 2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2112LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції NSVMMUN2112LT1G за ціною від 2.34 грн до 23.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMMUN2112LT1G NSVMMUN2112LT1G Виробник : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
на замовлення 52431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.94 грн
21+ 13.77 грн
100+ 6.72 грн
500+ 5.26 грн
1000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMMUN2112LT1G NSVMMUN2112LT1G Виробник : onsemi DTA124E_D-2310946.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 9705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.21 грн
20+ 15.51 грн
100+ 5.54 грн
1000+ 3.87 грн
3000+ 3.07 грн
9000+ 2.47 грн
24000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14