Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2132LT1G
NSVMMUN2132LT1G

NSVMMUN2132LT1G onsemi

dta143e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.85 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2132LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Power - Max: 246 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Transistor Type: PNP - Pre-Biased.

Інші пропозиції NSVMMUN2132LT1G за ціною від 1.69 грн до 22.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMMUN2132LT1G NSVMMUN2132LT1G onsemi DTA143E_D-1773619.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+13.32 грн
42+7.86 грн
100+4.30 грн
500+3.10 грн
1000+2.26 грн
3000+1.97 грн
6000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G NSVMMUN2132LT1G onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.99 грн
21+15.12 грн
100+7.38 грн
500+5.78 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
на замовлення 49948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G DTA143E_D-1773619.pdf
NSVMMUN2132LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 6725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
25+13.32 грн
42+7.86 грн
100+4.30 грн
500+3.10 грн
1000+2.26 грн
3000+1.97 грн
6000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
NSVMMUN2132LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+22.99 грн
21+15.12 грн
100+7.38 грн
500+5.78 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
на замовлення 49948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.