Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2132LT1G
NSVMMUN2132LT1G

NSVMMUN2132LT1G onsemi

dta143e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.81 грн
6000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2132LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції NSVMMUN2132LT1G за ціною від 2.54 грн до 25.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2132LT1G NSVMMUN2132LT1G Виробник : onsemi dta143e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 8836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+22.76 грн
21+14.97 грн
100+7.31 грн
500+5.72 грн
1000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G NSVMMUN2132LT1G Виробник : onsemi DTA143E_D-2310818.pdf Digital Transistors SS BR XSTR PNP 50V
на замовлення 6825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.23 грн
20+16.86 грн
100+6.02 грн
1000+4.21 грн
3000+3.48 грн
9000+2.68 грн
24000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2132LT1G dta143e-d.pdf
на замовлення 49948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.