Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2133LT1G
NSVMMUN2133LT1G

NSVMMUN2133LT1G onsemi

dta143z-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.19 грн
6000+1.90 грн
9000+1.80 грн
15000+1.57 грн
21000+1.50 грн
30000+1.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2133LT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSVMMUN2133LT1G за ціною від 1.76 грн до 12.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G Виробник : ONSEMI dta143z-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.78 грн
1000+2.42 грн
5000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G Виробник : onsemi dta143z-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.26 грн
58+5.57 грн
100+3.71 грн
500+2.65 грн
1000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G Виробник : ONSEMI dta143z-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+12.25 грн
111+7.77 грн
162+5.32 грн
500+3.57 грн
1000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G Виробник : onsemi DTA143Z-D.PDF Digital Transistors PNP Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 33310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.30 грн
45+7.82 грн
100+4.28 грн
500+2.90 грн
1000+2.75 грн
3000+2.14 грн
6000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1G NSVMMUN2133LT1G Виробник : ON Semiconductor dta143z-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2133LT1G Виробник : ONSEMI dta143z-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 80...140
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.