| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 16.59 грн |
| 34+ | 9.26 грн |
| 100+ | 4.89 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1000+ | 3.08 грн |
| 3000+ | 2.63 грн |
| 6000+ | 2.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
19 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMUN2133LT1G onsemi
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NSVMMUN2133LT1G за ціною від 2.94 грн до 29.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NSVMMUN2133LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
NSVMMUN2133LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NSVMMUN2133LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| NSVMMUN2133LT1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMMUN2133LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVMMUN2133LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NSVMMUN2133LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVMMUN2133LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 29.94 грн |
| 35+ | 22.45 грн |
| 36+ | 22.01 грн |
| 100+ | 10.19 грн |
| 250+ | 9.35 грн |
| 500+ | 7.52 грн |
| 1000+ | 4.89 грн |
| 3000+ | 4.02 грн |
| 6000+ | 2.94 грн |
| NSVMMUN2133LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




