Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2135LT1G
NSVMMUN2135LT1G

NSVMMUN2135LT1G onsemi

dta123j-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.99 грн
6000+3.56 грн
9000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2135LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMMUN2135LT1G за ціною від 2.18 грн до 23.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2135LT1G NSVMMUN2135LT1G onsemi dta123j-d.pdf Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
26+12.75 грн
44+7.38 грн
100+4.58 грн
500+2.96 грн
1000+2.61 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1G NSVMMUN2135LT1G onsemi dta123j-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.79 грн
20+15.65 грн
100+7.64 грн
500+5.98 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1G dta123j-d.pdf
NSVMMUN2135LT1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSIST
на замовлення 19864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
26+12.75 грн
44+7.38 грн
100+4.58 грн
500+2.96 грн
1000+2.61 грн
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2135LT1G dta123j-d.pdf
NSVMMUN2135LT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+23.79 грн
20+15.65 грн
100+7.64 грн
500+5.98 грн
1000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.