
NSVMMUN2137LT1G onsemi
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8715+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMUN2137LT1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції NSVMMUN2137LT1G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSVMMUN2137LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSVMMUN2137LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 47 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NSVMMUN2137LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
товару немає в наявності |