NSVMMUN2212LT1G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 3.21 грн |
| 2500+ | 2.76 грн |
| 5000+ | 2.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMMUN2212LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NSVMMUN2212LT1G за ціною від 2.18 грн до 124.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 60...100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 22kΩ |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.246W Case: SOT23 Current gain: 60...100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 22kΩ Application: automotive industry Base-emitter resistor: 22kΩ кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2645 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT) |
на замовлення 3286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Транзистор NPN з BRT; Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; hFE = 60; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA; Р, Вт = 0,246; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SOT-23 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NSVMMUN2212LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |