Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2212LT1G
NSVMMUN2212LT1G

NSVMMUN2212LT1G ONSEMI

dtc124e-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.59 грн
1000+3.15 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2212LT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NSVMMUN2212LT1G за ціною від 1.57 грн до 13.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI dtc124e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60...100
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.53 грн
58+6.65 грн
100+4.14 грн
294+3.07 грн
500+3.03 грн
808+2.91 грн
1000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI dtc124e-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMMUN2212LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.34 грн
93+8.89 грн
150+5.50 грн
500+4.59 грн
1000+3.15 грн
5000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : ONSEMI dtc124e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 22kΩ
Current gain: 60...100
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
22+13.83 грн
35+8.29 грн
100+4.97 грн
294+3.68 грн
500+3.63 грн
808+3.49 грн
1000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Транзистор NPN з BRT; Uceo, В = 50; Ic = 100 мА; hFE = 60; Icutoff-max = 500 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA; Р, Вт = 0,246; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = SMD; SOT-23
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc124e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2212LT1G NSVMMUN2212LT1G Виробник : onsemi DTC124E_D-1773603.pdf Digital Transistors SS SOT23 BR XSTR NPN 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.