Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2217LT1G
NSVMMUN2217LT1G

NSVMMUN2217LT1G onsemi


DTC143X-D.PDF Виробник: onsemi
Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 34 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+13.47 грн
46+8.01 грн
100+4.35 грн
500+3.16 грн
1000+2.77 грн
3000+2.21 грн
6000+1.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2217LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSVMMUN2217LT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2217LT1G NSVMMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2217LT1G NSVMMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.