Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2217LT1G
NSVMMUN2217LT1G

NSVMMUN2217LT1G onsemi

dtc143x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.43 грн
6000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2217LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSVMMUN2217LT1G за ціною від 1.40 грн до 12.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2217LT1G NSVMMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 4809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.27 грн
48+7.11 грн
109+2.72 грн
1000+2.43 грн
3000+1.84 грн
9000+1.69 грн
24000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2217LT1G NSVMMUN2217LT1G Виробник : onsemi dtc143x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+12.73 грн
43+7.20 грн
100+4.47 грн
500+3.04 грн
1000+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.