Продукція > ONSEMI > NSVMMUN2236LT1G
NSVMMUN2236LT1G

NSVMMUN2236LT1G onsemi

dtc115e-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.32 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMMUN2236LT1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції NSVMMUN2236LT1G за ціною від 1.75 грн до 12.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMMUN2236LT1G NSVMMUN2236LT1G Виробник : onsemi dtc115e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.51 грн
46+6.89 грн
100+4.27 грн
500+2.91 грн
1000+2.55 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1G NSVMMUN2236LT1G Виробник : onsemi DTC115E-D.PDF Digital Transistors NPN DIGITAL TRANSISTOR (B
на замовлення 8538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+12.95 грн
46+7.69 грн
100+4.18 грн
500+3.04 грн
1000+2.66 грн
3000+2.13 грн
9000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1G NSVMMUN2236LT1G Виробник : ON Semiconductor dtc115e-d.pdf NPN Transistors with Monolithic Bias Resistor Network
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMMUN2236LT1G Виробник : ONSEMI dtc115e-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 400mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 100kΩ
Current gain: 80...150
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.