Продукція > ONSEMI > NSVMSD1819A-RT1G
NSVMSD1819A-RT1G

NSVMSD1819A-RT1G onsemi

MSD1819A-RT1-D.PDF Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Bipolar Transistor
на замовлення 11972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+20.67 грн
20+17.74 грн
100+11.61 грн
500+7.18 грн
1000+5.57 грн
3000+3.28 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMSD1819A-RT1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSVMSD1819A-RT1G за ціною від 2.57 грн до 23.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMSD1819A-RT1G NSVMSD1819A-RT1G Виробник : ONSEMI msd1819a-rt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.90 грн
41+21.25 грн
100+12.59 грн
500+7.64 грн
1000+3.23 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSD1819A-RT1G NSVMSD1819A-RT1G Виробник : ONSEMI msd1819a-rt1-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMSD1819A-RT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.90 грн
41+21.25 грн
100+12.59 грн
500+7.64 грн
1000+3.23 грн
5000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMSD1819A-RT1G NSVMSD1819A-RT1G Виробник : onsemi msd1819a-rt1-d.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.