NSVMUN2212T1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 17.21 грн |
| 23+ | 13.25 грн |
| 100+ | 7.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMUN2212T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.
Інші пропозиції NSVMUN2212T1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMUN2212T1G | onsemi |
Digital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR |
на замовлення 13856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMUN2212T1G |
|
на замовлення 711000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMUN2212T1G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
Digital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
на замовлення 13856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)