Продукція > ONSEMI > NSVMUN2212T1G

NSVMUN2212T1G onsemi


DTC124E_D-1773603.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC59 BR XSTR PNP PBFR
на замовлення 8900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
24+13.85 грн
39+8.26 грн
100+4.49 грн
500+3.24 грн
1000+2.90 грн
3000+2.28 грн
6000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN2212T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-59, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 230 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms.

Інші пропозиції NSVMUN2212T1G за ціною від 6.96 грн до 17.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMUN2212T1G NSVMUN2212T1G onsemi dtc124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.09 грн
23+13.16 грн
100+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Power - Max: 230 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-59
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
19+17.09 грн
23+13.16 грн
100+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN2212T1G dtc124e-d.pdf
на замовлення 711000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.