Продукція > ONSEMI > NSVMUN5111DW1T3G
NSVMUN5111DW1T3G

NSVMUN5111DW1T3G onsemi

dta114ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10000+3.31 грн
20000+2.89 грн
30000+2.75 грн
50000+2.42 грн
70000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5111DW1T3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5111DW1T3G за ціною від 3.26 грн до 19.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5111DW1T3G onsemi dta114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.33 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
5000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5111DW1T3G NSVMUN5111DW1T3G onsemi dta114ed-d.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 7867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5111DW1T3G dta114ed-d.pdf
NSVMUN5111DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 79900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.33 грн
27+11.32 грн
100+7.07 грн
500+4.88 грн
1000+4.31 грн
2000+3.83 грн
5000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5111DW1T3G dta114ed-d.pdf
NSVMUN5111DW1T3G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR PNP 50V
на замовлення 7867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.