Продукція > ONSEMI > NSVMUN5211DW1T2G
NSVMUN5211DW1T2G

NSVMUN5211DW1T2G onsemi

dtc114ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.21 грн
6000+3.64 грн
9000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5211DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5211DW1T2G за ціною від 2.57 грн до 20.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMUN5211DW1T2G NSVMUN5211DW1T2G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+20.64 грн
26+12.00 грн
100+7.49 грн
500+5.17 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors Dual NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 7522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.50 грн
34+10.21 грн
100+4.55 грн
1000+4.04 грн
3000+3.16 грн
9000+2.64 грн
24000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5211DW1T2G Виробник : ON Semiconductor dtc114ed-d.pdf
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.