Продукція > ONSEMI > NSVMUN5211DW1T3G
NSVMUN5211DW1T3G

NSVMUN5211DW1T3G ONSEMI


ONSM-S-A0013903362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVMUN5211DW1T3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8330 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.34 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 6.03 грн
2500+ 5.71 грн
5000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5211DW1T3G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSVMUN5211DW1T3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NSVMUN5211DW1T3G за ціною від 2.34 грн до 24.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+20.94 грн
20+ 13.91 грн
100+ 6.79 грн
500+ 5.31 грн
1000+ 3.69 грн
2000+ 3.2 грн
5000+ 2.92 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013903362-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSVMUN5211DW1T3G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+24.49 грн
38+ 20 грн
100+ 10.34 грн
500+ 8.07 грн
1000+ 6.03 грн
2500+ 5.71 грн
5000+ 5.46 грн
Мінімальне замовлення: 31
NSVMUN5211DW1T3G Виробник : onsemi DTC114ED_D-2310747.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 9987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.21 грн
20+ 15.66 грн
100+ 5.54 грн
1000+ 3.34 грн
2500+ 3.14 грн
10000+ 2.54 грн
20000+ 2.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5211DW1T3G NSVMUN5211DW1T3G Виробник : onsemi dtc114ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній