Продукція > ONSEMI > NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G

NSVMUN5212DW1T1G onsemi

dtc124ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.74 грн
6000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5212DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5212DW1T1G за ціною від 4.30 грн до 19.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.60 грн
27+11.32 грн
100+7.06 грн
500+4.87 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G dtc124ed-d.pdf
NSVMUN5212DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.60 грн
27+11.32 грн
100+7.06 грн
500+4.87 грн
1000+4.30 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G dtc124ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.