Продукція > ONSEMI > NSVMUN5212DW1T1G
NSVMUN5212DW1T1G

NSVMUN5212DW1T1G onsemi

dtc124ed-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.78 грн
6000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5212DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Resistor - Base (R1): 22kOhms, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Power - Max: 250mW, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NSVMUN5212DW1T1G за ціною від 4.35 грн до 29.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMUN5212DW1T1G NSVMUN5212DW1T1G onsemi dtc124ed-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.82 грн
27+11.45 грн
100+7.14 грн
500+4.93 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G onsemi DTC124ED_D-2310718.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.03 грн
16+20.83 грн
100+10.78 грн
1000+6.70 грн
3000+6.48 грн
9000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G dtc124ed-d.pdf
NSVMUN5212DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Resistor - Base (R1): 22kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 250mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 8395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
16+19.82 грн
27+11.45 грн
100+7.14 грн
500+4.93 грн
1000+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5212DW1T1G DTC124ED_D-2310718.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
12+29.03 грн
16+20.83 грн
100+10.78 грн
1000+6.70 грн
3000+6.48 грн
9000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.