Продукція > ONSEMI > NSVMUN5213DW1T3G
NSVMUN5213DW1T3G

NSVMUN5213DW1T3G onsemi

dtc144ed-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.75 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5213DW1T3G onsemi

Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5213DW1T3G за ціною від 2.95 грн до 21.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G Виробник : onsemi dtc144ed-d.pdf Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.67 грн
20+ 14.05 грн
100+ 6.85 грн
500+ 5.36 грн
1000+ 3.73 грн
2000+ 3.23 грн
5000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN5213DW1T3G NSVMUN5213DW1T3G Виробник : onsemi DTC144E_D-2310824.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)