NSVMUN5214DW1T3G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 20.01 грн |
| 26+ | 11.71 грн |
| 100+ | 7.32 грн |
| 500+ | 5.05 грн |
| 1000+ | 4.46 грн |
| 2000+ | 3.97 грн |
| 5000+ | 3.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMUN5214DW1T3G onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVMUN5214DW1T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVMUN5214DW1T3G | onsemi |
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V |
на замовлення 8628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMUN5214DW1T3G |
|
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN 50V
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)