Продукція > ONSEMI > NSVMUN5216T1G
NSVMUN5216T1G

NSVMUN5216T1G onsemi

dtc143t-d.pdf Виробник: onsemi
Description: NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.91 грн
6000+2.50 грн
9000+2.35 грн
15000+2.04 грн
21000+1.94 грн
30000+1.85 грн
75000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5216T1G onsemi

Description: NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323), Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 202 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5216T1G за ціною від 1.77 грн до 17.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMUN5216T1G NSVMUN5216T1G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: NPN BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR (
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5216T1G NSVMUN5216T1G Виробник : onsemi ONSMS33917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw dtc143t-d.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.17 грн
30+11.59 грн
100+6.33 грн
1000+2.87 грн
3000+2.43 грн
9000+1.91 грн
24000+1.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5216T1G Виробник : ONSEMI DTC143T-D.PDF Description: ONSEMI - NSVMUN5216T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12000+2.28 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5216T1G Виробник : onsemi ONSMS33917-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SC70-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11539+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 11539
В кошику  од. на суму  грн.