Продукція > ONSEMI > NSVMUN5234T1G
NSVMUN5234T1G

NSVMUN5234T1G onsemi

dtc124x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SS SC70 BR XSTR NPN 50V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.33 грн
6000+2.00 грн
9000+1.88 грн
15000+1.63 грн
21000+1.55 грн
30000+1.48 грн
75000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5234T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSVMUN5234T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 202mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NSVMUN5234T1G за ціною від 1.69 грн до 16.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVMUN5234T1G NSVMUN5234T1G Виробник : onsemi dtc124x-d.pdf Description: SS SC70 BR XSTR NPN 50V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 202 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.29 грн
36+8.56 грн
100+5.31 грн
500+3.63 грн
1000+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5234T1G NSVMUN5234T1G Виробник : onsemi DTC124X_D-2310949.pdf Digital Transistors NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
на замовлення 14998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.70 грн
30+11.31 грн
100+6.24 грн
1000+2.79 грн
3000+2.42 грн
9000+1.83 грн
24000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5234T1G NSVMUN5234T1G Виробник : ONSEMI dtc124x-d.pdf Description: ONSEMI - NSVMUN5234T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 202mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.80 грн
80+10.37 грн
179+4.61 грн
500+3.36 грн
1000+2.26 грн
5000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.