Продукція > ONSEMI > NSVMUN5312DW1T2G
NSVMUN5312DW1T2G

NSVMUN5312DW1T2G onsemi

dtc124ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5312DW1T2G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5312DW1T2G за ціною від 4.40 грн до 19.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVMUN5312DW1T2G NSVMUN5312DW1T2G onsemi dtc124ep-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19.21 грн
27+11.56 грн
100+7.22 грн
500+4.99 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5312DW1T2G ONN dtc124ep-d.pdf
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5312DW1T2G onsemi dtc124ep-d.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
NSVMUN5312DW1T2G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+19.21 грн
27+11.56 грн
100+7.22 грн
500+4.99 грн
1000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5312DW1T2G dtc124ep-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.