Продукція > ONSEMI > NSVMUN531335DW1T3G
NSVMUN531335DW1T3G

NSVMUN531335DW1T3G onsemi

mun531335dw1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.77 грн
30000+ 2.62 грн
50000+ 2.36 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN531335DW1T3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN531335DW1T3G за ціною від 2.32 грн до 23.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G Виробник : onsemi mun531335dw1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 385mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.56 грн
20+ 14.18 грн
100+ 6.91 грн
500+ 5.41 грн
1000+ 3.76 грн
2000+ 3.26 грн
5000+ 2.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN531335DW1T3G Виробник : onsemi MUN531335DW1_D-2316168.pdf Digital Transistors Complementary Bias Resistor Transistors, 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.09 грн
20+ 15.51 грн
100+ 5.51 грн
1000+ 3.32 грн
2500+ 3.12 грн
10000+ 2.52 грн
20000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSVMUN531335DW1T3G NSVMUN531335DW1T3G Виробник : ON Semiconductor mun531335dw1-d.pdf Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
товар відсутній
NSVMUN531335DW1T3G Виробник : ON Semiconductor MUN531335DW1_D-2316168.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR NPN/PNP 50V
товар відсутній