Продукція > ONSEMI > NSVMUN531335DW1T3G

NSVMUN531335DW1T3G onsemi

Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN/PNP 50V

на замовлення 1198 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	19.60 грн
28+	11.47 грн
100+	6.28 грн
500+	4.74 грн
1000+	3.70 грн
5000+	3.07 грн
10000+	2.72 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSVMUN531335DW1T3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 385mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN531335DW1T3G

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
	NSVMUN531335DW1T3G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
	NSVMUN531335DW1T3G	Виробник : onsemi	Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 385mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 47kOhms, 2.2kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.