| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 19.82 грн |
| 28+ | 12.00 грн |
| 100+ | 6.55 грн |
| 500+ | 4.79 грн |
| 1000+ | 3.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVMUN5314DW1T3G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NSVMUN5314DW1T3G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NSVMUN5314DW1T3G | ON Semiconductor |
 |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NSVMUN5314DW1T3G |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)