Продукція > ONSEMI > NSVMUN5316DW1T1G
NSVMUN5316DW1T1G

NSVMUN5316DW1T1G onsemi

dtc143tp-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.68 грн
6000+3.18 грн
9000+3.00 грн
15000+2.62 грн
21000+2.50 грн
30000+2.39 грн
75000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5316DW1T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5316DW1T1G за ціною від 3.21 грн до 19.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMUN5316DW1T1G NSVMUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.07 грн
29+10.51 грн
100+6.59 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G onsemi dtc143tp-d.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.63 грн
28+11.88 грн
100+6.49 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G dtc143tp-d.pdf
NSVMUN5316DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 112390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.07 грн
29+10.51 грн
100+6.59 грн
500+4.54 грн
1000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5316DW1T1G dtc143tp-d.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR DUAL 50V
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+19.63 грн
28+11.88 грн
100+6.49 грн
500+4.75 грн
1000+4.19 грн
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.