Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSVMUN5336DW1T1G

NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor

Name: NSVMUN5336DW1T1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 795595-7
Price: 7350.000000000001 UAH
Availability: InStock

Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	2.45 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5336DW1T1G ON Semiconductor

Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 187mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 100kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5336DW1T1G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NSVMUN5336DW1T1G	Виробник : onsemi	Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVMUN5336DW1T1G	Виробник : onsemi	Description: COMPLEMENTARY DIGITAL TRA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 187mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 100kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NSVMUN5336DW1T1G	Виробник : ON Semiconductor	Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPLEMENTARY DIGITAL TRA	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.