Продукція > ONSEMI > NSVMUN5338DW1T3G
NSVMUN5338DW1T3G

NSVMUN5338DW1T3G onsemi

mun5338-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.24 грн
29+10.69 грн
100+6.67 грн
500+4.60 грн
1000+4.06 грн
2000+3.61 грн
5000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVMUN5338DW1T3G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVMUN5338DW1T3G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVMUN5338DW1T3G NSVMUN5338DW1T3G onsemi mun5338-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G onsemi DFAAA8B86F8D483918954BF645DB9E9B4B8399D6E5D16BB1D758F8115AA7B799.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 4.7kO, 10kO Complementary Bias Resistor Transistors - AEC-Q101.revD Qualified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G mun5338-d.pdf
NSVMUN5338DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms, 47kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVMUN5338DW1T3G DFAAA8B86F8D483918954BF645DB9E9B4B8399D6E5D16BB1D758F8115AA7B799.pdf
Виробник: onsemi
Schottky Diodes & Rectifiers 4.7kO, 10kO Complementary Bias Resistor Transistors - AEC-Q101.revD Qualified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.