NSVT1418LT1G ON Semiconductor
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1694+ | 18.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVT1418LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 160V 1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 120MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 420 mW.
Інші пропозиції NSVT1418LT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSVT1418LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
PNP Bipolar GP BJT Transistor Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
|
NSVT1418LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
PNP Bipolar GP BJT Transistor Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|
|
NSVT1418LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 420 mW |
товару немає в наявності |
|
|
NSVT1418LT1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 160V 1A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 420 mW |
товару немає в наявності |
|
|
NSVT1418LT1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Bipolaransistor 160V |
товару немає в наявності |
|
| NSVT1418LT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 0.42W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 1A Power dissipation: 0.42W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100...400 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товару немає в наявності |


