NSVT30010MXV6T1G ON Semiconductor
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 7.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVT30010MXV6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-563.
Інші пропозиції NSVT30010MXV6T1G за ціною від 6.31 грн до 43.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, Dual, PNP |
на замовлення 54870 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS 2PNP 30V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 |
на замовлення 59960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW Automotive 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NSVT30010MXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 661mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R |
товару немає в наявності |