Продукція > ONSEMI > NSVT5401MR6T1G
NSVT5401MR6T1G

NSVT5401MR6T1G onsemi

NSVT5401MR6-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+65.04 грн
10+39.55 грн
100+23.54 грн
500+18.47 грн
1000+15.79 грн
3000+13.39 грн
6000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVT5401MR6T1G onsemi

Description: TRANS 2PNP 150V 600MA TSOT-23-6, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Power - Max: 700mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Bulk, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції NSVT5401MR6T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NSVT5401MR6T1G onsemi NSVT5401MR6-D.PDF Description: TRANS 2PNP 150V 600MA TSOT-23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVT5401MR6T1G NSVT5401MR6-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2PNP 150V 600MA TSOT-23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Power - Max: 700mW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.