NSVT5551DW1T1G ON Semiconductor


NSVT5551DW1-D.PDF Виробник: ON Semiconductor
NSVT5551DW1T1G
на замовлення 183000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1640+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1640
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVT5551DW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SC88/SC70, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVT5551DW1T1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVT5551DW1T1G NSVT5551DW1T1G Виробник : onsemi NSVT5551DW1-D.PDF Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SC88/SC70
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.