Продукція > ONSEMI > NSVT5551DW1T1G
NSVT5551DW1T1G

NSVT5551DW1T1G onsemi

NSVT5551DW1-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN MULTI-CHIP
на замовлення 2796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVT5551DW1T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SC88/SC70, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Frequency - Transition: 300MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, Current - Collector (Ic) (Max): 200mA, Power - Max: 200mW, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Transistor Type: 2 NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Packaging: Bulk.

Інші пропозиції NSVT5551DW1T1G за ціною від 21.53 грн до 21.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVT5551DW1T1G ON Semiconductor NSVT5551DW1-D.PDF NSVT5551DW1T1G
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1640+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1640 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVT5551DW1T1G NSVT5551DW1-D.PDF
Виробник: ON Semiconductor
NSVT5551DW1T1G
на замовлення 183000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1640+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1640 шт
В кошику  од. на суму  грн.