Продукція > ONSEMI > NSVT5551MR6T1G
NSVT5551MR6T1G

NSVT5551MR6T1G onsemi


NSVT5551MR6-D.PDF
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN GENERAL-PURPOSE AMPLIFIER
на замовлення 2206 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.41 грн
10+39.82 грн
100+23.66 грн
500+18.59 грн
1000+15.96 грн
3000+13.46 грн
6000+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVT5551MR6T1G onsemi

Description: TRANS 2NPN 160V 600MA TSOT-23-6, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVT5551MR6T1G за ціною від 13.24 грн до 60.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVT5551MR6T1G Виробник : onsemi NSVT5551MR6-D.PDF Description: TRANS 2NPN 160V 600MA TSOT-23-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.88 грн
10+36.38 грн
100+23.61 грн
500+17.01 грн
1000+15.35 грн
3000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.