NSVT856MTWFTBG onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 65V 0.1A 3XDFNW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-XDFNW (1x1)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 650 mW
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.07 грн |
| 13+ | 24.55 грн |
| 100+ | 15.65 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| 1000+ | 9.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSVT856MTWFTBG onsemi
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Verlustleistung: 650mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: XDFNW, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції NSVT856MTWFTBG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NSVT856MTWFTBG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
NSVT856MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 650mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
|
|
NSVT856MTWFTBG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 650mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: XDFNW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| NSVT856MTWFTBG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
Bipolar Transistors - BJT DUAL 65V/100MA, NPN & PNP BIPOLAR TRANSISTORS, XDFNW3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NSVT856MTWFTBG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NSVT856MTWFTBG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - NSVT856MTWFTBG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 650 mW, XDFNW, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Verlustleistung: 650mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: XDFNW
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)