Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSVTB60BDW1T1G
NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor

nstb60bdw1t1d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.33 грн
6000+9.25 грн
9000+8.38 грн
15000+7.72 грн
21000+6.97 грн
24000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVTB60BDW1T1G за ціною від 6.50 грн до 35.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor nstb60bdw1t1d.pdf PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.37 грн
6000+9.30 грн
9000+8.42 грн
15000+7.76 грн
21000+6.99 грн
24000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.41 грн
14+21.20 грн
100+13.45 грн
500+9.48 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1d.pdf
NSVTB60BDW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+9.37 грн
6000+9.30 грн
9000+8.42 грн
15000+7.76 грн
21000+6.99 грн
24000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1-d.pdf
NSVTB60BDW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.41 грн
14+21.20 грн
100+13.45 грн
500+9.48 грн
1000+8.46 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.