NSVTB60BDW1T1G

NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor


nstb60bdw1t1d.pdf Виробник: ON Semiconductor
PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.53 грн
6000+7.48 грн
9000+6.77 грн
15000+6.24 грн
21000+5.62 грн
24000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSVTB60BDW1T1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Power - Max: 250mW, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 22kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NSVTB60BDW1T1G за ціною від 5.61 грн до 39.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor nstb60bdw1t1d.pdf PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination Automotive AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.08 грн
6000+8.02 грн
9000+7.26 грн
15000+6.69 грн
21000+6.04 грн
24000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Виробник : onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.35 грн
14+23.20 грн
100+14.73 грн
500+10.38 грн
1000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor nstb60bdw1t1-d.pdf PNP General Purpose and NPN Bias Resistor Transistor Combination
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G NSVTB60BDW1T1G Виробник : onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS NPN/PNP COMBO SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NSVTB60BDW1T1G Виробник : ON Semiconductor NSTB60BDW1T1-D-1388040.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP GENERAL PURPOSE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.