Продукція > ONSEMI > NTA4001NT1G
NTA4001NT1G

NTA4001NT1G onsemi

nta4001n-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs 20V 238mA N-Channel
на замовлення 21108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+17.69 грн
31+10.16 грн
100+5.74 грн
500+4.27 грн
1000+3.75 грн
3000+2.58 грн
6000+2.36 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Мінімальна партія: 18 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTA4001NT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.

Інші пропозиції NTA4001NT1G за ціною від 4.81 грн до 19.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTA4001NT1G NTA4001NT1G onsemi nta4001n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.41 грн
27+11.21 грн
50+8.01 грн
100+6.54 грн
500+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G NTA4001NT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G nta4001n-d.pdf
NTA4001NT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 1211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+19.41 грн
27+11.21 грн
50+8.01 грн
100+6.54 грн
500+4.81 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G ONSM-S-A0013750063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4001NT1G ONSM-S-A0013750063-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA4001NT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 3 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 238mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.