NTA4001NT1G ON Semiconductor
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 3.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTA4001NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 238mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.
Інші пропозиції NTA4001NT1G за ціною від 3.12 грн до 27.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 20V 238MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 238mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 47849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4001NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET 20V 238mA N-Channel |
на замовлення 50557 шт: термін постачання 529-538 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4001NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 238 mA, 1.5 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 238mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm |
на замовлення 14200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A Power dissipation: 0.3W Case: SC75 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NTA4001NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.238A; 0.3W; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.238A Power dissipation: 0.3W Case: SC75 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 3.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |