NTA4151PT1G ON Semiconductor
на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTA4151PT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 301mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NTA4151PT1G за ціною від 3.05 грн до 18.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTA4151PT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 301mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NTA4151PT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 301mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±6V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V |
на замовлення 95550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTA4151PT1G | Виробник : onsemi |
MOSFETs -20V -760mA PChannel |
на замовлення 71190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NTA4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 760mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV euEccn: NLR Verlustleistung: 301mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 63151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NTA4151PT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.76A Power dissipation: 0.301W Case: SC75 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |