Продукція > ONSEMI > NTA4151PT1G
NTA4151PT1G

NTA4151PT1G onsemi

nta4151p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.49 грн
6000+4.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTA4151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 760mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV, Verlustleistung: 301mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm.

Інші пропозиції NTA4151PT1G за ціною від 4.19 грн до 26.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.25 грн
50+10.97 грн
100+8.99 грн
500+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G ON Semiconductor nta4151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 11625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.88 грн
34+22.30 грн
100+11.85 грн
250+9.98 грн
500+9.12 грн
1000+5.89 грн
3000+5.83 грн
6000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf MOSFETs -20V -760mA PChannel
на замовлення 51205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G ONSEMI ONSM-S-A0013750088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 301mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 59506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G ONSEMI nta4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
34+12.58 грн
50+8.79 грн
100+7.53 грн
500+5.28 грн
600+5.08 грн
1000+4.55 грн
1500+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 28216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+25.87 грн
20+15.25 грн
50+10.97 грн
100+8.99 грн
500+6.67 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 11625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+26.88 грн
34+22.30 грн
100+11.85 грн
250+9.98 грн
500+9.12 грн
1000+5.89 грн
3000+5.83 грн
6000+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
NTA4151PT1G
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -760mA PChannel
на замовлення 51205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G ONSM-S-A0013750088-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NTA4151PT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.36 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 760mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450mV
Verlustleistung: 301mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.36ohm
на замовлення 59506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Power dissipation: 0.301W
Polarisation: unipolar
Drain current: -0.76A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±6V
Kind of package: reel; tape
Case: SC75
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
на замовлення 5797 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+25.29 грн
34+12.58 грн
50+8.79 грн
100+7.53 грн
500+5.28 грн
600+5.08 грн
1000+4.55 грн
1500+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.