Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTA4151PT1G
NTA4151PT1G

NTA4151PT1G ON Semiconductor

nta4151p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 0.76A 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTA4151PT1G ON Semiconductor

Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 301mW (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±6V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V.

Інші пропозиції NTA4151PT1G за ціною від 2.95 грн до 35.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTA4151PT1G NTA4151PT1G Виробник : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 174000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.94 грн
6000+ 4.55 грн
9000+ 3.93 грн
30000+ 3.62 грн
75000+ 3 грн
150000+ 2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NTA4151PT1G NTA4151PT1G Виробник : onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
на замовлення 178380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.87 грн
15+ 18.51 грн
100+ 9.34 грн
500+ 7.15 грн
1000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTA4151PT1G NTA4151PT1G Виробник : onsemi NTA4151P_D-1813940.pdf MOSFET -20V -760mA PChannel
на замовлення 79098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.91 грн
12+ 25.6 грн
100+ 12.62 грн
500+ 8.39 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTA4151PT1G NTA4151PT1G Виробник : ONSEMI nta4151p-d.pdf Description: ONSEMI - NTA4151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 760 mA, 0.26 ohm, SC-75, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 760
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 301
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.26
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 450
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 66702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.2 грн
30+ 25.49 грн
100+ 12.89 грн
500+ 7.91 грн
1000+ 5.59 грн
5000+ 5.47 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTA4151PT1G Виробник : ONSEMI nta4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.301W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTA4151PT1G Виробник : ONSEMI nta4151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.76A; 0.301W; SC75
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.301W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній