Продукція > ONSEMI > NTA4151PT1G

NTA4151PT1G onsemi


nta4151p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 90000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+3.47 грн
6000+3.27 грн
9000+3.20 грн
15000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTA4151PT1G onsemi

Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±6V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-75, SOT-416, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 301mW (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції NTA4151PT1G за ціною від 4.79 грн до 20.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 94875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.50 грн
29+10.67 грн
100+6.26 грн
500+5.11 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G NTA4151PT1G onsemi nta4151p-d.pdf MOSFETs -20V -760mA PChannel
на замовлення 51205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.28 грн
24+13.65 грн
100+8.73 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 301mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Tj)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 94875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+16.50 грн
29+10.67 грн
100+6.26 грн
500+5.11 грн
1000+4.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTA4151PT1G nta4151p-d.pdf
Виробник: onsemi
MOSFETs -20V -760mA PChannel
на замовлення 51205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
17+20.28 грн
24+13.65 грн
100+8.73 грн
500+6.63 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.