NTA7002NT1G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTA7002NT1G onsemi
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 154mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NTA7002NT1G за ціною від 2.40 грн до 20.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NTA7002NT1G | onsemi |
MOSFETs 30V 154mA N-Channel |
на замовлення 299178 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTA7002NT1G | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.154A Power dissipation: 0.3W Case: SC75 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 5815 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTA7002NT1G | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V |
на замовлення 106138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
NTA7002NT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 154mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-416 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 22925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs 30V 154mA N-Channel
MOSFETs 30V 154mA N-Channel
на замовлення 299178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 14.88 грн |
| 44+ | 7.46 грн |
| 100+ | 4.58 грн |
| 500+ | 4.51 грн |
| 1000+ | 4.09 грн |
| 3000+ | 2.54 грн |
| 6000+ | 2.40 грн |
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.154A; 0.3W; SC75
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.154A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC75
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5815 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.45 грн |
| 38+ | 11.20 грн |
| 56+ | 7.58 грн |
| 100+ | 6.41 грн |
| 500+ | 4.57 грн |
| 1000+ | 4.00 грн |
| 1500+ | 3.72 грн |
| 2500+ | 3.39 грн |
| 3000+ | 3.29 грн |
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
Description: MOSFET N-CH 30V 154MA SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 154mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 300mW (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 5 V
на замовлення 106138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 19.82 грн |
| 27+ | 11.61 грн |
| 100+ | 7.20 грн |
| 500+ | 4.97 грн |
| 1000+ | 4.39 грн |
| NTA7002NT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - NTA7002NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 154 mA, 7 ohm, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 22925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 20.39 грн |
| 70+ | 11.84 грн |
| 102+ | 8.09 грн |
| 500+ | 5.54 грн |
| 1500+ | 4.51 грн |




